本工具是通用解析周期表面的教学模型。显示的吸附粒子不指认 Li、Na 或其他具体物种，基底不是某种真实晶面；0.35 eV 等参数均为人为示例，绝不来自伪造的 DFT、NEB 或实验。
二维势能与坐标
u = 2πx; v = 2π[y − c sin(2πx)]
V(x,y) = A(1 − cos u)/2 + B(1 − cos v)/2
r = a(x,y); A, B in eV; a in Å
A = 0.35 eV; B = 1.20 eV; c = 0 or 0.18
x、y 为周期分数坐标。整数点为等价极小值；(½,0) 为相邻 x 方向位点的鞍点，解析势垒恰为 A。弯曲通道下最低能路径会偏离直线。二维势不包含垂直方向；粒子固定于示例基底上方 2 Å，不穿过基底或在层间迁移。
浏览器中实际求解
使用 65 个离散图像的零温数值弦方法：沿势能梯度的路径法向分量下降，并按弧长重新分布图像，保持两端固定；最多 5000 次迭代。残差为离散切向定义下的最大垂直力，单位 eV/Å。这里没有运行 VASP、DFT 或 NEB；数值路径仅在已声明的解析势上求解，不能代表真实材料的最低能路径。
速率与动画
k(T) = ν₀ exp[−ΔE‡/(kB T)]
ν₀ = 10¹³ s⁻¹ (assumed); kB = 8.617333262145 × 10⁻⁵ eV K⁻¹
这是固定尝试频率的 Arrhenius 教学估计，忽略活化熵、再穿越、量子隧穿和多粒子效应。等价 A、B 位点的正反速率相同。播放沿路径的插值仅用于读图，不是分子动力学轨迹，也不按 k(T) 等比例播放。
数值与来源
自动测试核对周期性、已知势阱与鞍点、解析梯度的有限差分、直线通道闭式能量剖面、弯曲路径残差、端点固定和速率温度比例。独立 AI 审查记录可从下方打开；AI 审核不等同于表面科学专家认证。
- E, Ren & Vanden-Eijnden (2002), String method for the study of rare events.
- Henkelman group, VTST: minimum-energy paths and distinction from NEB.
- IUPAC Gold Book: Arrhenius equation.
完整说明与审查记录 ↗