这是通用单层 1H-MoS₂ 背栅场效应晶体管的教学演示，采用经典理想模型；没有复现某篇论文的具体器件，也不是经实验标定的二维器件预测工具。
结构与动画
Au 源漏接触单层 MoS₂；SiO₂ 将沟道与重掺杂 Si 背栅隔开。正 Vᴅs 下，电子净漂移为源→漏，常规电流为漏→源。动画标记没有真实粒子数量和物理速度的含义，零漏压时停止净漂移，标记不会穿过绝缘层。
器件厚度与分解间距为显示夸张。晶格视图是独立的理想 1H 单层：上、下 S 平面投影重合，Mo 位于中间，内部 Mo 有 3 个上 S 与 3 个下 S 配位；a ≈ 3.16 Å，S 高度 ±1.565 Å 为近似示意参数。
可复核的电流公式
Cₒₓ = ε₀ εᵣ / tₒₓ β = µ Cₒₓ W/L
Vₒᵥ = Vɢs − Vᴛʜ
Vₒᵥ ≤ 0：Iᴅ = 0
0 ≤ Vᴅs < Vₒᵥ：Iᴅ = β (Vₒᵥ Vᴅs − Vᴅs²/2)
Vᴅs ≥ Vₒᵥ > 0：Iᴅ = β Vₒᵥ²/2
曲线、数字读数和动画启停共用同一模型。这里的“饱和”仅指该公式分支；真实 MoS₂ 器件可能受接触效应、速度饱和等主导。正栅压积累电子，不采用硅 MOSFET 的 p 型体反型层叙述。
资料核对与独立 AI 审查
已进行独立 AI 科学假设复核与公式、晶格几何自动测试；实现审查与交互验证完成后记入完整审查文档。这不等同于实验器件专家认证。
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